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平成29年度 省エネ大賞「資源エネルギー庁長官賞」受賞について

平成29年度 省エネ大賞 資源エネルギー庁長官賞 受賞マーク

革新的技術により実現したGaN※1パワーデバイス搭載LED電球および高出力LED投光器が、平成29年度「省エネ大賞(製品・ビジネスモデル部門)」において「資源エネルギー庁長官賞(節電分野)」を受賞しました。

写真:今回受賞した製品(GaN※1パワーデバイス搭載LED電球、高出力LED投光器)

今回受賞した製品(高出力LED投光器(2kW形メタルハライドランプ器具相当)、GaN※1パワーデバイス搭載LED電球)

今回受賞した製品は、照明用点灯装置において世界初のGaN※1パワーデバイスを搭載した高効率小形LED電球と、反射鏡で漏れ光を低減したLED投光器であり、従来光源からLED光源への置き換えを促進する製品です。

LED電球では、GaN※1パワーデバイスの採用で高周波化を図り回路基板の小形化を実現。小形のLED電球への調光制御プログラムの実装を可能とし、LEDランプへの置き換え促進に貢献します。

また高出力LED投光器(2kW形メタルハライドランプ器具相当)は、高密度実装による高光束発散度LEDモジュールの開発を経て、独自の反射鏡のみを用いた配光設計技術を確立。固有エネルギー消費効率が高く、漏れ光を低減して効率よく光を集めることで省エネ性を高め、競技場などでの普及促進を図ります。

GaN※1パワーデバイス搭載LED電球は当社白熱電球と比較して、ミニクリプトン形は約84%※2、ハロゲン電球形は約82%※3、また、高出力LED投光器(2kW形メタルハライドランプ器具相当)は当社HID投光器と比較して約55%※4、それぞれ消費電力削減を実現しています。

※1 Gallium Nitride(窒化ガリウム)の化学式

※2 当社ミニクリプトン電球KR100V33WXWAとGaNパワーデバイス搭載LED電球LDA5L-G-E17/S/D40Wとの比較

※3 当社ネオハロビームPRIDE JDR110V45W/K5M-PDとGaNパワーデバイス搭載LED電球LDR7L-M-E11/Dとの比較

※4 当社HID投光器HT-20013(N・M・W)+MD2000B+20MC-4201Hと高出力LED投光器LEDS-12503N(N・M・W)+LEK-3H8P039A01との比較

「省エネ大賞」は、優れた省エネルギー性、省資源性を有する民生用エネルギー利用機器・資材及びエネルギー利用システムを広く公募、発掘し、表彰することによりその開発支援・普及促進を図り、二酸化炭素などの地球温暖化ガスの排出量削減に貢献し、省エネルギー型社会の構築に資することを目的に実施されています。

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